В.В. Аполлонов, В.А. Ямщиков
К ВОПРОСУ ОБ ЭФФЕКТИВНОСТИ ЭЛЕКТРОРАЗРЯДНОГО N2 - ЛАЗЕРА
Рассмотрена зависимость эффективности N2 - лазера от основных параметров самостоятельного разряда, электрической схемы возбуждения и газовой смеси. Экспериментально показано, что энергия излучения пропорциональна мощности накачки активной среды в момент, когда напряжение на плазме самостоятельного разряда максимально. Установлено, что максимальная энергия генерации достигается при таком давлении азота, когда максимальные мощность накачки и напряжение на плазме реализуются одновременно. Определена зависимость эффективности лазера от параметра ZC. характеризующего длительность импульса генератора накачки.
Электроразрядный лазер на переходах молекулы азота - перспективный источник излучения ближнего УФ диапазона. Такие лазеры широко применяются в микроэлектронной промышленности, медицине, лазерной химии, для накачки лазеров на органических красителях, в спектроскопических исследованиях, в лазерной диагностике плазмы и в других целях [1]. Его конструкция сравнительно проста, а рабочая среда химически инертна. Кроме того, для ряда применений длина волны азотного лазера оказывается наиболее эффективной.
Недостатком азотного лазера является его низкий КПД. Разброс КПД, приводимых в различных работах, очень велик: от 0,02 % [2] до 0,8 -1 % [3,4] при отсутствии принципиальных различий в конструкциях лазеров и без приемлемого объяснения причин таких расхождений. Попытки математического моделирования процессов, происходящих в азотном лазере, обычно касаются частных случаев [5,6] или же не дают удовлетворительного согласия с экспериментом. Это затрудняет поиск условий повышения КПД и создания лазеров с планируемыми характеристиками. В такой ситуации необходимо прямое исследование зависимости эффективности азотного лазера от базовых характеристик разряда, параметров схемы накачки, давления и состава газовой смеси, что и являлось целью настоящей работы.
Электрическая схема лазера, на котором проводились эксперименты, подобная схеме, описанной в [7], показана на рис.1а.
Рис. 1. Электрическая (а) и эквивалентная (б) схемы лазера.
Она состоит из LС- генератора Фитча, насыщающегося дросселя L2 и обостряющей емкости C0 , распределенной вдоль разрядного промежутка. Емкости С1 и C2 равны 20 нФ каждая. Обостряющая емкость равна ударной емкости генератора Фитча: С0 = С1/2 = 10 нФ. Обмотка дросселя L2 выполнена в виде двойной металлической трубы, между стенками которой находятся ферритовые кольца с общей площадью сечения S = 67 см2. Схема позволяет генерировать импульсы напряжения до 40 кВ с фронтом нарастания 80 нс. Разрядный промежуток (РП) размером 20 x 20 x 500 мм был образован двумя профилированными электродами. Расстояние между электродами d = 20 мм. PП подсвечивается УФ излучением от 50 искровых зазоров. Резонатор лазера состоит из кварцевой пластинки и глухого плоско-параллельного зеркала.
Эксперименты проводились при постоянном зарядном напряжении Uc = 20 кВ. На рис.2 приведены типичные осциллограммы импульсов напряжения U(t) на разрядном промежутке, тока /(t) через обостряющую емкость и импульса генерации N2- лазера J(t).
Рис.2. Осциллограммы импульсов напряжении (а), тока через емкость С0 (б) и излучения лазера (в) для N2- лазера при рN2 = 120 мм рт.ст., Uc = 20 кВ.
На рис.З и 4 показаны экспериментальные зависимости максимального напряжения Um на PП и энергии генерации W лазера на азоте и смеси азота с SF6 (20 мм рт.ст.) от давления азота pN2.
Рис.З. Зависимости максимального напряжения на разрядном промежутке Um от pN2 в лазерах на N2 (1) и смеси N2 - SF6 (2).
Рис.4. Зависимости энергии излучения W лазеров на N2 (1) и смеси N2 - SF6 (2) от pN2 (pSF6 = 20 мм рт.ст.).
Зависимость отношения Еm/р = Um/pd, характеризующего температуру электронов в разряде (где Еm - максимальная напряженность электрического поля, р = pN2 + pSF6 - полное давление газовой смеси), от pN2 показана на рис.5.
Рис.5. Зависимости отношения максимальной напряженности электрического поля в разряде к полному давлению газовой смеси Еm/р от pN2, в лазерах на N2 (1) и смеси N2 - SF6 (2) (pSF6 = 20 мм рт.ст.).
Существует распространенная точка зрения [4,8,9], что характеристики излучения N2- лазера зависят, прежде всего, от отношения Еm/р. Однако из рис.З и 5 видно, что в диапазоне рабочих давлении лазера изменение параметра Еm/р не оказывает заметного влияния на поведение W.
Особенностью режима накачки N2- лазера, как следует из рис.З и 5, являются низкие по сравнению с максимальным напряжением генератора Фитча (2Uс = 40 кВ) значения Um, а также высокие значения Еm/р в разряде, которые намного больше порога ионизации азота Ei/p = 40 В/см*мм рт.ст. Это означает, что ионизация в РП и накачка активной среды начинаются раньше, чем достигается максимум напряжения на плазме, при этом через емкость С0 одновременно текут ток заряда /1 и ток разряда /2 (рис.1,а). Условие пробоя (максимальное напряжение Um на РП) записывается в виде C0dU(t)/dt = /(t) = /1—/2 = 0, т.е. /1 = /2. Как видно из рис.2.б, для pN2 = 120 мм рт.ст. ток разряда составляет около 4 кА при максимальном напряжении на плазме 20 кВ.
Схему рис.1.а можно свести к еще более простой эквивалентной схеме [10] (см. рис.1,б). Здесь R(tm) - сопротивление плазмы самостоятельного разряда в момент времени tm , соответствующий максимуму напряжения на РП, Z- эквивалентное сопротивление электрической схемы, равное сопротивлению в режиме короткого замыкания РП, которое в общем случае может быть комплексным и содержать активную и реактивную составляющие. U0 - напряжение эквивалентного генератора в режиме холостого хода на РП. Тогда пиковую мощность накачки в момент времени tm можно определить из формулы
Рm = ImUm = (U0 - Um) Um /Z. (1)
С увеличением давления азота Um увеличивается (рис.З,а), поэтому согласно (1) мощность Рm сначала будет возрастать, а затем убывать, достигая максимума в точке Um = U0/2 (при условии dPm/dUm = 0):
Рmaх = U02/4Z. (2)
Поскольку используется генератор Фитча, то под U0 следует понимать удвоенное зарядное напряжение: U0 = 2 Uc.
Как видно из рис.З и 4, имеется однозначное соответствие между Um и W. Используя это соответствие и формулу (1), можно построить зависимости W от Рm, которые приводятся на рис.6 для условий наших экспериментов:
Z ≈ (2(L2s + L3)/C0 )1/2 = 5 Ом, L2s = 113 нГн
Здесь L2s - индуктивность первого контура в режиме насыщения L2. L3 = 6 нГн, U0 = 40 кВ. Из рис.6 хорошо видно, что W пропорционально Рm. Стрелками обозначены участки подъема (слева направо) и спада (справа налево) для Рm и W.
Рис.6. Зависимости энергии W лазеров на N2 (1) и смеси N2 - SF6, (2) от мощности Рm, выделяемой в момент достижения максимума напряжения на разрядном промежутке (pSF6 = 20 мм рт.ст.).
Физический смысл Рmax - это Рm при Um = U0/2, что означает возникновение согласованного режима накачки, при котором выполняется условие R(tm) = Z (рис. 1.б).
Следовательно, при согласованном режиме накачки энергия генерации должна быть максимальна (Wmax ). В исследуемых смесях максимум W действительно наблюдался при таких давлениях газов, когда максимальное напряжение разряда было равно 20 кВ, т.е. при Um = U0/2 (рис.3,4). В этом случае одновременно достигаются максимальные пиковая мощность накачки и электронная температура в разряде.
Разный наклон кривых на рис. 6 до и после максимума W обусловлен неодинаковой долей энергии, вкладываемой в разряд до и после максимума напряжения, которая растет с ростом pN2 .Что касается существенного увеличения энергии генерации в смеси с добавками SF6,то оно объясняется эквивалентным увеличением времени спада напряжения на плазме, которое также приводит к повышению энергии накачки, вкладываемой в разряд после максимума напряжения.
Полагая, что Wmax= К(Рmax - Рmin ), где К – тангенс угла наклона кривых рис.6 на участке подьема W, a Pmin - минимальная мощность, при которой возникает генерация, можно определить соответствующие параметры: К1 = 7*10-11 с, Р1min = 33 МВт для азота и К2 = 4*10-10 с, Р2min = 60 МВт для смеси N2 - SF6. Из результатов наших экспериментов легко найти КПД азотного лазера:
η = (Wmax / W0 ) 100 % = К(1/2ZC - Рmin / W0 ) 100 %, (3)
где Wmax = К(Рmax - Рmin), Рmax = U02/4Z, W0 = CU02/2 - энергия, запасенная в эквивалентной емкости С высоковольтного генератора. Подставляя в (3) численные значения параметров U0 = 40 кВ, С = С1 /2 = 10 нф, Z = 5 Ом, а также К и Рmin, получаем η1= 0,04 % для N2 и η2 = 0,1 % для смеси N2 - SF6.
Следует отметить, что в ряде наиболее интересных для практики случаев - η1 ≥ 0,1 % и W0 ≥ 10 мДж - вторым слагаемым в (3) можно пренебречь. Тогда η ≈ K/2ZC. Параметр ZC характеризует длительность разряда генератора накачки.
Ранее считалось [5], что накачка N2- лазера происходит только на стадии быстрого спада напряжения на плазме, поэтому в них стремились сделать минимальной лишь индуктивность Ld в контуре разряда обостряющей емкости через РП, включая индуктивность подвода. Из результатов настоящей работы следует, что в действительности основная часть энергии накачки вкладывается вблизи максимума напряжения на плазме. При этом согласно формуле (3) КПД η зависит от параметра ZC.
Обычно генераторами накачки N2- лазеров служат линии Блюмляйна, генераторы Фитча или эквивалентные им схемы с двумя колебательными контурами типа схемы рис. 1 а. Для передачи максимальной мощности и энергии в нагрузку необходимо, чтобы емкости в обоих контурах были одинаковыми [11].
В этих условиях ZC = (2(Lz/C))1/2C = (2(LzC))1/2, где Lz = Lg + Ld - суммарная индуктивность схемы возбуждения, Lg - индуктивность генератора накачки, включая индуктивность разрядника. Из формулы (3) следует, что при значительном снижении С необходимо повышение U0. Однако в большинстве случаев это недопустимо, поэтому для существенного увеличения η принципиальное значение имеет минимизация суммарной индуктивности Lz. Оценки по формуле (3) показывают, что, например, для N2- лазера без добавок SF6 при η ≥ 0,5 % и типичных параметрах Wвых = 10 мДж, U0 = 20 кВ необходимо обеспечить Lz ≤ 1,5 нГн.
Эти условия можно реализовать в схеме генератора Блюмляйна с многоканальным псевдоискровым разрядником (зарядное напряжение 10 кВ, разрядный ток 15 кА, индуктивность 0,5 нГн), подобным описанному в [12]. Если при этом активную среду возбуждать скользящим разрядом по поверхности диэлектрика [13], а в линии Блюмляйна использовать дистиллированную воду, то, как показывают оценки, можно получить Lz ≈ 1,5 нГн. Дальнейшее наращивание энергии излучения возможно лишь за счет увеличения зарядного напряжения, коммутируемого разрядником. Вместе с тем в большинстве традиционных конструкций N2- лазеров суммарная индуктивность Lz » 1,5 нГн, чем и объясняется их низкая эффективность (например, в схеме рис. 1 а Lz = L2s + L3 = 11З нГн + 6 нГн ).
В заключение рассмотрим результаты работы [14], где описан N2-лазер с магнитной схемой сжатия импульса накачки и где, как утверждается авторами этой работы, была получена энергия УФ излучения 20 мДж при η = 0,43 %. Пользуясь данными [14] и формулой (2), нетрудно оценить, что реальная эффективность в данном случае не может быть больше 0,12 %. Авторы [14] объясняют столь высокие характеристики излучения достигнутым параметром Е/р = 170 - 200 В/см*мм рт.ст. (pN2 = 170 - 100 мм рт. ст.), полученным в результате применения схемы возбуждения с ультракоротким фронтом напряжения - 10 нс. Чтобы проверить это предположение, нами была создана схема накачки N2- лазера с двумя контурами магнитного сжатия импульса напряжения, аналогичная описанной в [14]. Для этого в схему рис.1 последовательно дросселю L2 добавлялась C3L3 - цепочка. Электрическая схема лазера показана на рис.7. Насыщающийся дроссель состоял из трех параллельно включенных индуктивностей на ферритовых сердечниках с общим сечением S = 29 см2, C3 = 5 нФ, С1 = С2 = 20 нФ, С0 = 5 нФ.
Рис.7. Электрическая схема лазера с двумя магнитными звеньями сжатия импульса напряжения.
На рис. 8 показан типичный импульс напряжения на РП. Длительность его фронта не превышала 20 нс, а отношение Е/р в разряде достигало 170 В/см* мм рт.ст. (pN2 = 50 мм рт.ст.).
Рис.8. Осциллограмма импульса напряжения на РП при разряде в N2 (схема рис.7) при рN2 = 50 мм рт. ст., Uс = 27 кВ.
Однако необходимость использования ферритовых сердечников с большой площадью сечения не позволила сделать L3s. (индуктивность третьего контура при насыщении L3) существенно меньше L2s. К тому же возросли потери на перемагничивание L3 и из-за неравенства ударной емкости С1/2 и емкости С3 уменьшилась эффективность передачи энергии между ними [11]. Вследствие этого заметного роста мощности накачки и энергии излучения при использовании схемы рис.7 по сравнению со схемой рис.1 а не наблюдалось. Из полученных результатов следует, что схемы магнитного сжатия энергии неоптимальны для N2- лазеров, поскольку их дроссели имеют довольно большую индуктивность обмоток. По-нашему мнению, данные работы [14] завышены и требуют дополнительного анализа.
Таким образом, в настоящей работе показано, что отношение Еm/р в разряде не оказывает непосредственного влияния на характеристики N2- лазера. Эффективность лазера зависит от параметров ZC, W0, Pmin , где Z- эквивалентное сопротивление схемы возбуждения, С - эквивалентная емкость высоковольтного генератора, W0 - запасенная в ней энергия, Pmin - пороговая мощность возбуждения. Энергия излучения пропорциональна мощности накачки, выделяемой в момент достижения максимума напряжения на плазме. Максимальная энергия генерации наблюдается при таком давлении газов, при котором согласованный режим накачки реализуется при максимальном напряжении на плазме.
- Singh J.P., Thankur S.N. J. Sci. Industr. Res.. 25. 341 (19801.
- Hariri A., Tarkashvand М., Karami A. Meas.Sci.Technol. 1. 659 (1990).
- Vazquez Martinez A., Aboitcs A. IEEE J.Guantum Electron. 29. 2364(1993).
- Godar B. IEEE J,Quantum Electron. 10. 147 (1974).
- Месяц Г.А., Осипов B.B., Тарасенко В.Ф. Импульсные газовые лазеры (М.. Наука. 1991).
- Fitzsimmons W.A., Anderson L.W., Riedhauser С.Е., Vrtiler J.M. IEEE J.Quantum Electron. 12. 616 (1976).
- Вартапетов C.K. ЖТФ. 56. 1387 (1981).
- Ломаев М.Л., Тарасенко В.Ф., Верховский B.C. Электрон. техн. Сер.11, вып.1. 58 (1991).
- Буранов С.Н., Горохов В.В., Карелин В.И., Репин П.Б. Квантовая электроника. 17. 161 (1990).
- Афанасьев Б.П., Гольдин O.Е., Коляцкин И.Г., Пинес Г.Я.
Теория линейных электрических цепей (М.. Высшая школа. 1973).
- Persephonis P., Giannetas В., Parthenios J., GeorgiadesC., loanov А. IEEE J. Quantum Electron.. 29.2371 (1993).
- Mechtersheimer G., Kohler R. J.Phys. E. 20. 270(1987).
- Брызгалов П.П., Карлов H.B., Ковалев И.О., Кузьмин Г.П. Квантовая электроника. 15. 1971 (1988).
- Seki Н., Takemori S., Sato Т. IEEE J. Sel. Top. in Quantum Electron. 1,825 (1995).